Descrizione

Cos'è la 3D V-NAND e in che cosa si distingue dalla tecnologia esistente?

L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.

Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite per velocità di lettura / scrittura senza rivali.

Grazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L'850EVO offre le prestazioni migliori della sua categoria nelle velocità di lettura (549 MB/s) e di scrittura (520 MB/s) sequenziale. **Scrittura random (QD32,120 GB): 36000 IOPS (840 EVO) > 88000 IOPS (850 EVO).

Con la modalità migliorata RAPID sei in pole position.

Abilita la modalita Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocità di elaborazione dei dati;infatti la modalità Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance . Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzerà fino a 4 GB di Dram (se il pc è dotato di 16 GB di dram).

Durabilità e affidabilità garantite grazie alla tecnologia 3D V-NAND.

L'850 EVO offre durabilità e affidabilità garantite raddoppiando i TBW* rispetto alla generazione precedente 840 EVO** oltre a offrire una garanzia di 5 anni. Inoltre le prestazioni del 850 EVO risultano migliori del 30% rispetto al 840 EVO, quando il ssd è sottoposto a carichi di lavoro elevati, dimostrandosi uno dei dispositivi per l'archiviazione più affidabili***. *TBW: byte totali scritti nel periodo di garanzia. **TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB),150 (850 EVO 500 / 1 TB). ***Prestazioni prolungate nel tempo (250 GB): 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), prestazioni misurate dopo 12 ore di test di “Scrittura random”.

Aumenta la durata della batteria del tuo notebook grazie alla 3D V-NAND.

Il nuovo controller del 850 EVO supporta la modalità Sleep del tuo notebook permettendoti di lavorare o videogiocare più a lungo. L'850 EVO è ora più efficiente dal punto di vista energetico del 25% rispetto all'840 EVO grazie alla 3D V-NAND che consuma solo metà dell'energia rispetto a una NAND 2D planare. *Alimentazione (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).

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Scheda tecnica

Caratteristiche principali

Tempo medio tra guasti (MTBF) 1500000 h

Scrittura casuale (4KB) 90000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Shock di funzionamento 1500 G

Consumo di energia (in scrittura) 0,1 W

Dimensione del buffer HDD 512 MB

Vibrazione di non-funzionamento 20 G

Shock di non-funzionamento 1500 G

Larghezza 69,8 mm

Capacità SSD 500 GB

Altezza 6,8 mm

Velocità di scrittura 520 MB/s

Interfaccia Serial ATA III

Interno Sì

Intervallo temperatura di funzionamento 0 - 70 °C

Range di umidità di funzionamento 5 - 95%

Peso 55 g

Dettagli prodotto

Lettura casuale (4KB) 98000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Supporto S.M.A.R.T. Sì

Consumo di energia (in lettura) 0,1 W

Consumo energetico (inattivo) 0,045 W

Tipo memoria MLC

Supporto TRIM Sì

Algoritmi di sicurezza supportati 256-bit AES

Profondità 100 mm

Fattore di forma dell'unità SSD 2.5"

Velocità di lettura 540 MB/s

Sistema operativo Windows supportato Sì

Velocità di trasferimento dati 6 Gbit/s

Colore del prodotto Nero

Intervallo di temperatura -40 - 85 °C

Umidità 5 - 95%

Recensioni